Poleret aluminiumnitrid (ALN) keramisk substrat

Poleret aluminiumnitrid (ALN) keramisk substrat

GRWAYPoleret aluminiumnitrid (ALN) keramisk substratAluminiumnitrid (AlN) keramikken har høj termisk ledningsevne (5-10 gange som aluminiumoxidkeramikken), lav dielektricitetskonstant og dissipationsfaktor, god isolering og fremragende mekaniske egenskaber, giftfri, høj termisk modstand, kemisk resistens og lineær ekspansionskoefficient svarer til Si, som er meget udbredt i kommunikationskomponenter, højeffekt-led, strømelektroniske enheder og andre områder.Specielle produkter kan fremstilles efter ønske.

Aluminiumnitrid (ALN) keramisk substrat YDELSE

Almindelige dimensioner af AlN substrat/wafer

PS: Andre dimensioner, som ikke er angivet, er tilgængelige efter dine ønsker.

Aluminiumnitrid (ALN) Keramiske substratfunktioner

1.Ensartet mikrostruktur

2.Høj termisk ledningsevne* (70-180 Wm-1K-1), skræddersyet via procesbetingelser og tilsætningsstoffer

3.Høj elektrisk resistivitet

4. Termisk udvidelseskoefficient tæt på silicium

5. Modstand mod korrosion og erosion

6. Fremragende termisk stødmodstand

7.Kemisk stabil op til 980°C i H2- og CO2-atmosfære og i luft op til 1380°C (overfladeoxidation sker omkring 780°C; overfladelaget beskytter hovedparten op til 1380°C).